Корпорация объявила в пятницу, что ей удалось разработать технологию, увеличивающую производительность полупроводниковых микрочипов на 35 процентов при одновременном снижении их потребляемой мощности без изменения размеров транзисторов.
Технология, названная "strained silicon" ("Растянутый кремний") позволяет добиться ускорения потока электронов в транзисторе. Для этого используется естественное стремление атомов внутри соединяемых структур выравниваться друг с другом. Если кремний поместить на подложку из материала с большим межатомным расстоянием, то кристаллическая решетка кремния будет растягиваться, стремясь выравняться с атомами подложки.
В такой растянутой структуре поток электронов испытывает меньшее сопротивление и движется на 70 процентов быстрее, что приводит в 35-процентному увеличению производительности чипа. При этом не требуется уменьшать толщину базы транзисторов, что до сих пор являлось основным методом ускорения их работы и практически исчерпало себя из-за достижения теоретических пределов этого уменьшения.
Это уже пятое крупное достижение в области полупроводниковой техники, которое делают ученые IBM за последние четыре года. В числе заслуг IBM: замена аллюминиевых соединений на кремниевом кристалле на медные, технология "кремний на диэлектрике" (SOI - замена кремниевой основы чипов стеклом), КМОП-транзисторы на кремний-германиевой (SiGe) подложке, изоляция с низкой диэлектрической постоянной SiLK.
Корпорация расчитывает внедрить strained silicon к 2003 году.
Copyright © 2000-2002 Нетоскоп