и немецкий производитель микросхем объявили в четверг об организации совместного проекта по созданию элементов оперативной памяти, в основе функционирования которых лежит явление магнетизма.
Память такого типа получила название MRAM (Magnetic Random Access Memory). В используемой сейчас DRAM запоминающими элементами являются полупроводниковые триггеры, которые требуют электропитания для поддержания заданного устойчивого состояния. Магнитные элементы в непрерывном питании не нуждаются. Таким образом, расход электроэнергии батарей переносных устройств - компьютеров, сотовых телефонов и так далее, - резко снизится.
Поскольку информация после отключения питания будет в оперативной памяти сохраняться, при включении устройства загрузка, например, операционной системы, не потребуется. Таким образом, компьютеры будут приводиться в рабочее состояние практически мгновенно.
Исследователи IBM разработали первые миниатюрные компоненты, названные "магнитными тоннельными переходами" еще в 1974 году. Дойти до создания реальных чипов MRAM удалось только в 1998 году. Теперь, используя более чем 10-летний опыт Infineon по созданию микросхем памяти, IBM рассчитывает завершить разработки и начать массовое производство к 2004 году. В проекте заняты около 80 инженеров обеих компаний.
Copyright © 2000-2002 Нетоскоп