Нетоскоп / Новости / IBM готовит революцию в технологиях оперативной памяти

		Нетоскоп/Новости/09.12.2000 http://www.netoscope.ru/news/2000/12/09/1034.html IBM готовит революцию в технологиях оперативной памяти Вячеслав Ансимов 9.12.2000 11:40

IBM и немецкий производитель микросхем Infineon Technologies объявили в четверг об организации совместного проекта по созданию элементов оперативной памяти, в основе функционирования которых лежит явление магнетизма.

Память такого типа получила название MRAM (Magnetic Random Access Memory). В используемой сейчас DRAM запоминающими элементами являются полупроводниковые триггеры, которые требуют электропитания для поддержания заданного устойчивого состояния. Магнитные элементы в непрерывном питании не нуждаются. Таким образом, расход электроэнергии батарей переносных устройств - компьютеров, сотовых телефонов и так далее, - резко снизится.

Поскольку информация после отключения питания будет в оперативной памяти сохраняться, при включении устройства загрузка, например, операционной системы, не потребуется. Таким образом, компьютеры будут приводиться в рабочее состояние практически мгновенно.

Исследователи IBM разработали первые миниатюрные компоненты, названные "магнитными тоннельными переходами" еще в 1974 году. Дойти до создания реальных чипов MRAM удалось только в 1998 году. Теперь, используя более чем 10-летний опыт Infineon по созданию микросхем памяти, IBM рассчитывает завершить разработки и начать массовое производство к 2004 году. В проекте заняты около 80 инженеров обеих компаний.