В понедельник IBM на конференции 2002 полупроводниковых технологий в Сан-Матео в Калифорнии сообщила о создании самой быстродействующей схемы генератора для для телекоммуникационного процессора с тактовой частотой 110 ГГц. Данное устройство сделано на основе кремниево-германиевого сплава и будет использовано в маршрутизторах и коммутаторах высокоскоростных каналов. Промышленное производство чипов с этим генератором предполагается начать в нынешнем году. Возвращение к германию в полупроводниковой схемотехнике отражает преемственность технологий.
В телекоммуникационных системах рекордной частотой до этого было значение 80 ГГц, при стандарном оборудовании с частотами 50–60 ГГц. КМОП-транзисторы на кремний-германиевой (SiGe) подложке являются фундаментальным изобретением ученых корпорации. Промышленное производство микросхем с тактовой частотой 110 ГГц начнется к концу года.
Тонкий слой SiGe путем добавления германия при выращивании кремния на обычных кремниевых подложках. Если вырастить кремниевую пленку на такой сверхтонкой (2-6 нм) SiGe-подложке, то на протяжении нескольких микрометров в толщину кремний окажется тянутым, c постоянной кристаллической решетки на 1-5 процента больше, чем в ненапряженном кремнии. В растянутом кремнии электроны и дырки более подвижны, что и способствует созданию сверхбыстродействующих устройств.
Строго говоря, растянутый кремний изобретен не в IBM: десяток исследовательских центров в Азии, Европе и Америке работает в этом направлении, но Голубой гигант, похоже, раньше других поставил идею на практические рельсы.
Copyright © 2000-2002 Нетоскоп